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碳化硅 MOSFET IV2Q06060L1

  • 詳細介紹

品牌:瞻芯電子

特點
 ? 第二代 SiC MOSFET 技術? 高壓、低導通電阻 ? 高速、寄生電容小 ? 高工作結溫 ? 快速恢復體二極管 ? 開爾文連接驅動
應用 
? UPS 電源 ? 電機驅動 ? EV/HEV 驅動 ? 高壓 DC/DC 變換器 ? 開關電源
VDS    漏源電壓  650V 
RON  導通電阻  60mΩ
VGSon 推薦使用的開通柵源電壓   15 to 18 V
VGSoff 推薦使用的關斷柵源電壓 -5 to -2 V
ID 最大漏源電流     43A (VGS=20V, TC=25°C )             
TJ 工作結溫范圍         -55 to 175°C

本文網址 : http://www.akstzdb.cn/product/73.html
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