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碳化硅 MOSFET IV1Q12160D7Z

  • 詳細介紹

品牌:瞻芯電子

特點 
? 具有源極驅動管腳的低阻抗封裝 ? 高壓、低導通電阻 ? 高速、寄生電容小 ? 高工作結溫 ? 快速恢復體二極管
應用
 ? 光伏逆變器 ? 車載充電器 ? 高壓 DC/DC 變換器 ? 開關電源
VDS    漏源電壓    1200V 
RON  導通電阻  160mΩ
VGSon 推薦使用的開通柵源電壓   20±0.5 V
VGSoff 推薦使用的關斷柵源電壓   -3.5 to -2 V
ID 最大漏源電流    19A (VGS=20V, TC=25°C )
                              14A  (VGS=20V, TC=100°C )

TJ 工作結溫范圍         -55 to 175°C

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