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碳化硅 MOSFET IV1Q12017T4ZG

  • 詳細介紹

品牌:瞻芯電子
特點 ? 高壓、低導通電阻 ? 高速、寄生電容小 ? 高工作結溫 ? 快速恢復體二極管 ? 開爾文連接驅動 ? AEC-Q101 認證通過  
應用 ? 光伏逆變器 ? UPS 電源 ? 電機驅動 ? 高壓 DC/DC 變換器 ? 開關電源 
VDS    漏源電壓  1200V 
RON  導通電阻  17mΩ
VGSon 推薦使用的開通柵源電壓   20±0.5 V
VGSoff 推薦使用的關斷柵源電壓   -3.5 to -2 V
ID 最大漏源電流      111A (VGS=20V, TC=25°C )
                                 80A  (VGS=20V, TC=100°C )

TJ 工作結溫范圍         -55 to 175°C

本文網址 : http://www.akstzdb.cn/product/58.html
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